ISI的晶圓級(jí)MRAM測(cè)試儀

MRAM正在開(kāi)發(fā)支持人工智能、物聯(lián)網(wǎng)和先進(jìn)網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的下一代嵌入式設(shè)備；在數(shù)據(jù)中心、邊緣和端點(diǎn)。此外獨(dú)立MRAM已經(jīng)成為許多應(yīng)用的重要非易失性緩存和緩沖區(qū)。為所有這些應(yīng)用提供 MRAM 需要在生產(chǎn)環(huán)境中進(jìn)行良好的MTJ設(shè)計(jì)和測(cè)試。Everspin在磁存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)，制造和交付到相關(guān)應(yīng)用中的知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)在半導(dǎo)體行業(yè)中是獨(dú)一無(wú)二的，為汽車(chē)、工業(yè)和軍事。云存儲(chǔ)等行業(yè)等提供了大量可靠?jī)?yōu)質(zhì)的MRAM，STT-MRAM存儲(chǔ)芯片。Everspin一級(jí)代理商接下來(lái)介紹 Everspin MRAM 器件的測(cè)試。
 
ISI在MTJ器件的設(shè)計(jì)和工廠(chǎng)測(cè)試方面擁有長(zhǎng)期經(jīng)驗(yàn)，能夠滿(mǎn)足MRAM的開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)測(cè)試需求。他們也在創(chuàng)造新的測(cè)試和生產(chǎn)工具來(lái)幫助MRAM項(xiàng)目取得成功?？纯此麄?yōu)槭裁磻?yīng)該成為MRAM測(cè)試伙伴。
 
除了用于硬盤(pán)磁頭生產(chǎn)測(cè)試的專(zhuān)業(yè)產(chǎn)品之外，ISI是第一家為MRAM行業(yè)制造晶圓級(jí)測(cè)試器的公司，并且可能擁有最大的STT-MRAM晶圓級(jí)測(cè)試器安裝基地。他們?cè)谟脖P(pán)磁頭行業(yè)的長(zhǎng)期經(jīng)驗(yàn)使他們?cè)贛TJ測(cè)試方面擁有經(jīng)驗(yàn)，這是他們帶給新興的MRAM測(cè)試行業(yè)的經(jīng)驗(yàn)。
 
WLA3000  STT-MRAM 晶圓級(jí)分析儀，即第三代脈沖發(fā)生器，配有其專(zhuān)有的探針卡接口，可產(chǎn)生低至5納秒的可編程脈沖，在脈沖發(fā)生后，能夠在原位對(duì)多芯片組件進(jìn)行超快測(cè)量。4點(diǎn)和2點(diǎn)靜脈/右心室測(cè)試儀可以提供脈沖和DC測(cè)量，最高可達(dá)平面內(nèi)的3K奧斯特和垂直于平面的5K奧斯特。機(jī)器能夠在360度的視場(chǎng)角和高達(dá)150度的溫度下工作，帶有熱卡盤(pán)選項(xiàng)。即將推出的第四代系統(tǒng)包括對(duì)這些規(guī)格的進(jìn)一步增強(qiáng)，包括脈沖寬度低至2nS和垂直場(chǎng)高達(dá)15K奧斯特
 
此外它們可以提供薄膜可靠性測(cè)試，包括擊穿電壓、耐久性和寫(xiě)入概率以及讀取干擾測(cè)量，并且它們的熱鐵磁諧振(FMR)特性(使用連接到其射頻探針組件的射頻前置放大器)可以用于過(guò)程控制以及器件開(kāi)發(fā)。圖1顯示了美國(guó)工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)學(xué)會(huì)晶圓級(jí)準(zhǔn)靜態(tài)測(cè)試儀。

創(chuàng)新互聯(lián)主要業(yè)務(wù)有網(wǎng)站營(yíng)銷(xiāo)策劃、成都網(wǎng)站制作、做網(wǎng)站、微信公眾號(hào)開(kāi)發(fā)、小程序開(kāi)發(fā)、H5場(chǎng)景定制、程序開(kāi)發(fā)等業(yè)務(wù)。一次合作終身朋友，是我們奉行的宗旨；我們不僅僅把客戶(hù)當(dāng)客戶(hù)，還把客戶(hù)視為我們的合作伙伴，在開(kāi)展業(yè)務(wù)的過(guò)程中，公司還積累了豐富的行業(yè)經(jīng)驗(yàn)、成都營(yíng)銷(xiāo)網(wǎng)站建設(shè)資源和合作伙伴關(guān)系資源，并逐漸建立起規(guī)范的客戶(hù)服務(wù)和保障體系。 

 
ISI可以用EG、TEL和Accretech探測(cè)器(如上圖所示)設(shè)置測(cè)試，并且可以為幾乎任何其他探測(cè)器進(jìn)行配置。他們的電子設(shè)備和測(cè)試軟件獨(dú)立于晶片探測(cè)器，他們的測(cè)試頭可以安裝在任何探測(cè)器上。一個(gè)簡(jiǎn)單的懸臂探針卡可以用來(lái)在200或300毫米的晶片上提供多器件測(cè)試能力。
 
ISI的方法是開(kāi)發(fā)他們自己的專(zhuān)有前端電路，在MTJs上執(zhí)行脈沖和測(cè)量操作。圖2顯示了專(zhuān)有ISI脈沖通道的脈沖樣本，幾乎沒(méi)有過(guò)沖。
 

 
這一專(zhuān)有設(shè)計(jì)不僅為MRAM行業(yè)提供了特定的測(cè)試功能，而且是該行業(yè)獨(dú)有的，ISI的完全集成前端提供了極快的寫(xiě)/讀循環(huán)測(cè)量，從而實(shí)現(xiàn)了極高的測(cè)量性能，如誤碼率。
 
圖2顯示了脈沖幅度的誤差概率。對(duì)于曲線(xiàn)上的每個(gè)數(shù)據(jù)點(diǎn)，這些測(cè)試被配置為運(yùn)行105個(gè)寫(xiě)/復(fù)位周期，但是整個(gè)曲線(xiàn)的總測(cè)試時(shí)間仍然低于3.2s。

ISI對(duì)未來(lái)的MRAM測(cè)試和其他生產(chǎn)工具有一個(gè)積極的路線(xiàn)圖。正在研發(fā)第四代ISI脈沖器模塊，并正在為下一代自旋軌道轉(zhuǎn)矩(SOT)設(shè)備開(kāi)發(fā)外部脈沖器集成，以取代快速 sram 存儲(chǔ)器。

本文題目：ISI的晶圓級(jí)MRAM測(cè)試儀
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